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GD50FFY120C5S

Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur 3-phases IGBT

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD50FFY120C5S
Référence TME:
GD50FFY120C5S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
redresseur 3-phases IGBT, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
50A
Boîtier
C5 45mm
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
100A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut200 g
Certificates
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GD50FFY120C5S
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 87.41 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 87.41 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 77.22 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 77.22 USD
Prix net pour les quantités de 12 pcs - 69.35 USDPrix brut pour les quantités de 12 pcs - 69.35 USD
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