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GD50FSY120L3S

Module: IGBT; transistor/transistor; Urmax: 1200V; Ic: 50A; L3.2

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD50FSY120L3S
Référence TME:
GD50FSY120L3S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
pont 3-phases IGBT sortie OE, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
50A
Boîtier
L3.2
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
100A
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut39 g
Certificates
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GD50FSY120L3S
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