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GD50PJX65L3S

Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 50A

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD50PJX65L3S
Référence TME:
GD50PJX65L3S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
boost chopper, pont 3-phases IGBT sortie OE, redresseur 3-phase, thermistor NTC
Tension inverse max.
650V
Courant du collecteur
50A
Boîtier
L3.0
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
100A
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut39 g
Certificates
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GD50PJX65L3S
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 61.59 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 61.59 USD
Prix net pour les quantités de 4 pcs - 54.52 USDPrix brut pour les quantités de 4 pcs - 54.52 USD
Prix net pour les quantités de 16 pcs - 48.95 USDPrix brut pour les quantités de 16 pcs - 48.95 USD
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