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GD75FFX170C6S

Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur 3-phases IGBT

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD75FFX170C6S
Référence TME:
GD75FFX170C6S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
redresseur 3-phases IGBT, thermistor NTC
Tension inverse max.
1,7kV
Courant du collecteur
75A
Boîtier
C6 62mm
Montage électrique
Press-in PCB
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
150A
La technologie
Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut300 g
Certificates
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GD75FFX170C6S
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