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GD900HFY120P1S

Module: IGBT; transistor/transistor; demi-pont IGBT; Urmax: 1200V

Fabricant: STARPOWER SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
GD900HFY120P1S
Référence TME:
GD900HFY120P1S

Spécification

Fabricant
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Topologie
demi-pont IGBT
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
900A
Boîtier
P1.0
Montage électrique
vissés
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
1,8kA
La technologie
Advanced Trench FS IGBT
Montage mécanique
vissés
Poids brut825 g
Certificates
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GD900HFY120P1S
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Prix net pour les quantités de 9 pcs - 314.31 USDPrix brut pour les quantités de 9 pcs - 314.31 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 9)