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HP8KA1TB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 14A; Idm: 28A; 3W; HSOP8

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
HP8KA1TB
Référence TME:
HP8KA1TB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
14A
Courant du drain dans l'impulsion
28A
Puissance de dissipation
3W
Boîtier
HSOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
7mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
24nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Construction de semi-conducteur
drain commun
Poids brut0.1 g
Certificates

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HP8KA1TB
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