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Fabricant	ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor	N/P-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	paire complémentaire
Tension drain-source	60/-60V
Courant du drain	8,5/-8,5A
Courant du drain dans l'impulsion	18A
Puissance de dissipation	7W
Boîtier	HSOP8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	73/80mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12,3/38nC
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

HP8M31TB1

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; paire complémentaire; 7W

Spécification

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