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HP8M51TB1

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 100/-100V; 4,5/-4,5A; Idm: 18A

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
HP8M51TB1
Référence TME:
HP8M51TB1

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100/-100V
Courant du drain
4,5/-4,5A
Courant du drain dans l'impulsion
18A
Puissance de dissipation
7W
Boîtier
HSOP8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
180/320mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
15/26,2nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.1 g
Certificates

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HP8M51TB1
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Prix net pour les quantités de 2500 pcs - 0.46 USDPrix brut pour les quantités de 2500 pcs - 0.46 USD
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