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Famille de produits

HS8K1TB

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 10/11A; Idm: 40÷44A; 2W

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
HS8K1TB
Référence TME:
HS8K1TB

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
10/11A
Courant du drain dans l'impulsion
40...44A
Puissance de dissipation
2W
Boîtier
uDFN8
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
20/16,5mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
6/7,4nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.01 g
Certificates

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HS8K1TB
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