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IKB40N65EF5ATMA1

Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK


Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
IKB40N65EF5ATMA1
Référence TME:
IKB40N65EF5ATMA1

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor
IGBT
La technologie
TRENCHSTOP™ 5
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
46A
Puissance de dissipation
125W
Boîtier
D2PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
SMD
Charge d'entrée
95nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Temps de connection
56ns
Temps d'extinction
212ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut2 g
Certificates

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IKB40N65EF5ATMA1
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