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IKD10N60RC2ATMA1

Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 18,8A; 79W; DPAK

NOUVEAUTÉ

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
IKD10N60RC2ATMA1
Référence TME:
IKD10N60RC2ATMA1

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor
IGBT
La technologie
Field Stop, Trench
Tensions collecteur-émetteur
600V
Courant du collecteur
18,8A
Puissance de dissipation
79W
Boîtier
DPAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
30A
Montage
SMD
Charge d'entrée
48nC
Temps d'extinction
250ns
Poids brut1 g
Certificates
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IKD10N60RC2ATMA1
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
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