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IMD10AMT1G

Transistor: NPN / PNP; bipolaire; BRT,paire complémentaire; 50V

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
IMD10AMT1G
Référence TME:
IMD10AMT1G

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
NPN / PNP
Polarisation
bipolaire
Genre de transistor
BRT, paire complémentaire
Tensions collecteur-émetteur
50V
Courant du collecteur
0,1A
Puissance de dissipation
285mW
Boîtier
SC74R
Renforcement du transistor
68...600
Montage
SMD
Quantité dans l'ensemble/paquet
3000pc
Genre de la emballage
bande, rouleau
Résistance base
13/0,13kΩ
Résistance émetteur-base
10kΩ
Poids brut0.01 g
Certificates
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IMD10AMT1G
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Prix net pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USDPrix brut pour les quantités de 1000 pcs - 0.17 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)