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Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | OptiMOS™ | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 600V | |
Courant du drain | 6A | |
Puissance de dissipation | 51W | |
Boîtier | PG-TO252-3 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 0,536Ω | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 18nC | |
Genre de canal | enrichi |