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Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | HEXFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 100V | |
Courant du drain | 68A | |
Puissance de dissipation | 221W | |
Boîtier | TO220AB | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 8,6mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 77nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |