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IRF1018EPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 79A; 110W; TO220AB


Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
IRF1018EPBF
Référence TME:
IRF1018EPBF

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
HEXFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
79A
Puissance de dissipation
110W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
8,4mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
46nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.957 g
Certificates
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IRF1018EPBF
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs