IRF200B211
Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 9A; Idm: 34A; 80W; TO220AB
Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES
Marque du fabricant:
IRF200B211
Référence TME:
IRF200B211
Spécification
Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | HEXFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 200V | |
Courant du drain | 9A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 34A | |
Puissance de dissipation | 80W | |
Boîtier | TO220AB | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 0,17Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 23nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut2 g
Certificates
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* IRF200B211Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 10 pcs - 0.96 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 0.96 USD
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