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IRF610SPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 3,3A; Idm: 10A; 36W


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
IRF610SPBF
Référence TME:
IRF610SPBF

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
200V
Courant du drain
3,3A
Courant du drain dans l'impulsion
10A
Puissance de dissipation
36W
Boîtier
D2PAK, TO263
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
1,5Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
8,2nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.5 g
Certificates
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IRF610SPBF
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Multiplication: 1.