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Fabricant	Infineon (IRF)
Type de transistor	N-MOSFET x2
La technologie	HEXFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	50V
Courant du drain	3A
Puissance de dissipation	2W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,13Ω
Montage	SMD
Charge d'entrée	12nC
Genre de canal	enrichi

IRF7103PBF

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 50V; 3A; 2W; SO8

Spécification