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Fabricant	Infineon (IRF)
Type de transistor	N/P-MOSFET
La technologie	HEXFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	55/-55V
Courant du drain	4,7/-3,4A
Puissance de dissipation	2W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	50/105mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	24/26nC
Genre de canal	enrichi

IRF7343PBF

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 55/-55V; 4,7/-3,4A; 2W; SO8

Spécification