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Fabricant	INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	HEXFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	100V
Courant du drain	80A
Puissance de dissipation	260W
Boîtier	D2PAK
Montage	SMD
Genre de la emballage	rouleau
Genre de canal	enrichi

IRF8010STRLPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 80A; 260W; D2PAK

Spécification