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Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | HEXFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -100V | |
Courant du drain | -23A | |
Puissance de dissipation | 140W | |
Boîtier | TO220AB | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 0,117Ω | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 64,7nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |