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Fabricant	INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	HEXFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	270A
Puissance de dissipation	375W
Boîtier	TO220AB
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2,5Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	200nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

IRFB3006GPBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 270A; 375W; TO220AB

Spécification