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IRFB4137PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 300V; 38A; 341W; TO220AB

Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
IRFB4137PBF
Référence TME:
IRFB4137PBF

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
HEXFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
300V
Courant du drain
38A
Puissance de dissipation
341W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
56mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
83nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.977 g
Certificates
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IRFB4137PBF
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcs