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IRFB4227PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 65A; 190W; TO220AB


Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
IRFB4227PBF
Référence TME:
IRFB4227PBF

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
HEXFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
200V
Courant du drain
65A
Puissance de dissipation
190W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
26mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
70nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.61 g
Certificates
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IRFB4227PBF
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 1.95 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 1.95 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 1.78 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 1.78 USD
Prix net pour les quantités de 25 pcs - 1.60 USDPrix brut pour les quantités de 25 pcs - 1.60 USD
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 50 pcs