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IRFBE30PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 2,6A; Idm: 16A; 125W

Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
IRFBE30PBF
Référence TME:
IRFBE30PBF

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
800V
Courant du drain
2,6A
Courant du drain dans l'impulsion
16A
Puissance de dissipation
125W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
Montage
THT
Charge d'entrée
78nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.96 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N VISHAY,
*
IRFBE30PBF
482 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 2.20 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 2.20 USD
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Prix net pour les quantités de 50 pcs - 1.38 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 1.38 USD
Prix net pour les quantités de 100 pcs - 1.28 USDPrix brut pour les quantités de 100 pcs - 1.28 USD
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Prix net pour les quantités de 500 pcs - 1.06 USDPrix brut pour les quantités de 500 pcs - 1.06 USD
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcsCarton = 1 000 pcs