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IRFBG30PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1kV; 2A; 125W; TO220AB


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
IRFBG30PBF
Référence TME:
IRFBG30PBF

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1kV
Courant du drain
2A
Puissance de dissipation
125W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
Montage
THT
Charge d'entrée
80nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2.08 g
Certificates
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*
IRFBG30PBF
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Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 50 pcsCarton = 1 000 pcs