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IRFD113PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 0,8A; Idm: 6,4A; 1W; HVMDIP


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
IRFD113PBF
Référence TME:
IRFD113PBF

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
60V
Courant du drain
0,8A
Courant du drain dans l'impulsion
6,4A
Puissance de dissipation
1W
Boîtier
HVMDIP
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,8Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
7nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.3 g
Certificates
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IRFD113PBF
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