+1 500 000 produits offerts

7000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Enregistrez vous

Quick Buy Favoris

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	HEXFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	200V
Courant du drain	65A
Puissance de dissipation	330W
Boîtier	TO247AC
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	25mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	70nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

IRFP4227PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 200V; 65A; 330W; TO247AC

Spécification