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Fabricant	INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	HEXFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	60V
Courant du drain	281A
Puissance de dissipation	341W
Boîtier	TO247AC
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	2mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	274nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
nom commercial	StrongIRFET

IRFP7530PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 60V; 281A; 341W; TO247AC

Spécification