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IRFPF50PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 900V; 4,2A; 190W; TO247AC


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
IRFPF50PBF
Référence TME:
IRFPF50PBF

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
900V
Courant du drain
4,2A
Puissance de dissipation
190W
Boîtier
TO247AC
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
1,6Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
200nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut4.6 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Transistors THT à canal N VISHAY,
*
IRFPF50PBF
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 25 pcsCarton = 500 pcs