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Fabricant	INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	HEXFET®
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	40V
Courant du drain	130A
Puissance de dissipation	200W
Boîtier	TO220AB
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	logic level

IRL1004PBF

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 40V; 130A; 200W; TO220AB

Spécification