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Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
La technologie | HEXFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 12A | |
Puissance de dissipation | 4,5W | |
Boîtier | PQFN2X2 | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | logic level |