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Fabricant | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
La technologie | HEXFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -30V | |
Courant du drain | -3,6A | |
Puissance de dissipation | 1,3W | |
Boîtier | SOT23 | |
Montage | SMD | |
Genre de canal | enrichi | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | logic level |