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ISP12DP06NMXTSA1

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -2,8A; 4,2W; SOT223


Fabricant: INFINEON TECHNOLOGIES

Marque du fabricant:
ISP12DP06NMXTSA1
Référence TME:
ISP12DP06NMXTSA1

Spécification

Fabricant
INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-60V
Courant du drain
-2,8A
Puissance de dissipation
4,2W
Boîtier
SOT223
Résistance en état de conduction
0,125Ω
Montage
SMD
Charge d'entrée
20,2nC
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.17 g
Certificates
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ISP12DP06NMXTSA1
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