IXA30RG1200DHGLB
Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1,2kV; SMT
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXA30RG1200DHGLB
Référence TME:
IXA30RG1200DHGLB
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | diode/transistor | |
Topologie | boost chopper | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 30A | |
Boîtier | SMPD-B | |
Montage électrique | SMT | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 75A | |
Puissance de dissipation | 147W | |
La technologie | ISOPLUS™, Sonic FRD™ |
Poids brut7.95 g
Certificates
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* IXA30RG1200DHGLBNombre de pièces (Multiplication: 1)
38 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 6.05 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 6.05 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 20 pcs