IXA70I1200NA
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXA70I1200NA
Référence TME:
IXA70I1200NA
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 1,2kV | |
Courant du collecteur | 65A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 150A | |
Puissance de dissipation | 350W | |
La technologie | XPT™ | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut34.54 g
Certificates
Voir tous les produits de cette catégorie: Modules IGBT IXYS
* IXA70I1200NA
Produit retiré de l'offre
Méthode d'emballage par le fabricant:Tube = 10 pcs