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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 3kV | |
Courant du collecteur | 34A | |
Puissance de dissipation | 150W | |
Boîtier | ISOPLUS i4-pac™ x024c | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 130A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 105nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 64ns | |
Temps d'extinction | 0,3µs | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |