IXBF20N360
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3,6kV; 20A; 230W
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBF20N360
Référence TME:
IXBF20N360
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 3,6kV | |
Courant du collecteur | 20A | |
Puissance de dissipation | 230W | |
Boîtier | ISOPLUS i4-pac™ x024c | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 220A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 110nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut5.69 g
Certificates
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* IXBF20N360Nombre de pièces (Multiplication: 300)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 300 pcs - 61.36 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 61.36 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 25 pcs