IXBH10N170
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 10A; 140W; TO247-3
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBH10N170
Référence TME:
IXBH10N170
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,7kV | |
Courant du collecteur | 10A | |
Puissance de dissipation | 140W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 40A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 30nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 63ns | |
Temps d'extinction | 1,8µs | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut6.125 g
Certificates
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* IXBH10N170Nombre de pièces (Multiplication: 1)
20 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 9.82 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 9.82 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 8.67 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 8.67 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 8.27 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 8.27 USD
Produit difficilement accessible
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs