IXBH20N300
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 50A; 250W; TO247-3
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBH20N300
Référence TME:
IXBH20N300
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 3kV | |
Courant du collecteur | 50A | |
Puissance de dissipation | 250W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 130A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 105nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 64ns | |
Temps d'extinction | 0,3µs | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut6.135 g
Certificates
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* IXBH20N300Nombre de pièces (Multiplication: 1)
0 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 80.96 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 80.96 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 75.86 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 75.86 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs