IXBH2N250
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBH2N250
Référence TME:
IXBH2N250
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 2,5kV | |
Courant du collecteur | 2A | |
Puissance de dissipation | 32W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 13A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 10,6nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 310ns | |
Temps d'extinction | 252ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut1 g
Certificates
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* IXBH2N250Nombre de pièces (Multiplication: 300)
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Prix net pour les quantités de 300 pcs - 6.94 USDPrix brut pour les quantités de 300 pcs - 6.94 USD