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IXBH42N170

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; TO247-3

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXBH42N170
Référence TME:
IXBH42N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
BiMOSFET™, FRED
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
42A
Puissance de dissipation
360W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
THT
Charge d'entrée
188nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
224ns
Temps d'extinction
1,07µs
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut6.1 g
Certificates
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IXBH42N170
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 24.94 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 24.94 USD
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs