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IXBH6N170

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 6A; 75W; TO247-3

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXBH6N170
Référence TME:
IXBH6N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
BiMOSFET™
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
6A
Puissance de dissipation
75W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
36A
Montage
THT
Charge d'entrée
17nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
104ns
Temps d'extinction
700ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut6.11 g
Certificates
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IXBH6N170
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 9.13 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 9.13 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 8.20 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 8.20 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 7.65 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 7.65 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 7.38 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 7.38 USD
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La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs