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IXBK64N250

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 64A; 735W; TO264

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXBK64N250
Référence TME:
IXBK64N250

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
BiMOSFET™, FRED
Tensions collecteur-émetteur
2,5kV
Courant du collecteur
64A
Puissance de dissipation
735W
Boîtier
TO264
Tension entrée - émetteur
±25V
Courant du collecteur d'impulsion
600A
Montage
THT
Charge d'entrée
400nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
632ns
Temps d'extinction
397ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut10 g
Certificates
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*
IXBK64N250
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Prix net pour les quantités de 3 pcs - 176.25 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 176.25 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 163.42 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 163.42 USD
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