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Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™, FRED | |
Tensions collecteur-émetteur | 2,5kV | |
Courant du collecteur | 64A | |
Puissance de dissipation | 735W | |
Boîtier | TO264 | |
Tension entrée - émetteur | ±25V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 600A | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 400nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 632ns | |
Temps d'extinction | 397ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |