IXBN42N170A
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,7kV; Ic: 21A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBN42N170A
Référence TME:
IXBN42N170A
Spécification
Fabricant | IXYS | ||
Type de module semi-conducteur | IGBT | ||
Construction de semi-conducteur | transistor simple | ||
Tension inverse max. | 1,7kV | ||
Courant du collecteur | 21A | ||
Boîtier | SOT227B | ||
Montage électrique | vissés | ||
Tension entrée - émetteur | ±20V | ||
Courant du collecteur d'impulsion | 265A | ||
Puissance de dissipation | 313W | ||
La technologie | BiMOSFET™ | ||
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension | ||
Montage mécanique | vissés |
Poids brut36.86 g
Certificates
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* IXBN42N170ANombre de pièces (Multiplication: 1)
4 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 42.95 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 42.95 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 38.61 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 38.61 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 35.98 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 35.98 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs