IXBN75N170
Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBN75N170
Référence TME:
IXBN75N170
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | IGBT | |
Construction de semi-conducteur | transistor simple | |
Tension inverse max. | 1,7kV | |
Courant du collecteur | 75A | |
Boîtier | SOT227B | |
Montage électrique | vissés | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 680A | |
Puissance de dissipation | 625W | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension | |
Montage mécanique | vissés |
Poids brut37.09 g
Certificates
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* IXBN75N170Nombre de pièces (Multiplication: 1)
1 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 114.63 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 114.63 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 102.99 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 102.99 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 96.12 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 96.12 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 10 pcs