IXBT24N170
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 24A; 250W; TO268
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBT24N170
Référence TME:
IXBT24N170
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 1,7kV | |
Courant du collecteur | 24A | |
Puissance de dissipation | 250W | |
Boîtier | TO268 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 230A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 0,14µC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 190ns | |
Temps d'extinction | 1285ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut4.08 g
Certificates
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* IXBT24N170Nombre de pièces (Multiplication: 1)
23 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 17.92 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 17.92 USD
Prix net pour les quantités de 3 pcs - 16.08 USDPrix brut pour les quantités de 3 pcs - 16.08 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 15.03 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 15.03 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 14.47 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 14.47 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs