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IXBT2N250-TR

Transistor: IGBT; 2,5kV; 5A; 32W; TO268

NOUVEAUTÉ

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXBT2N250-TR
Référence TME:
IXBT2N250-TR

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
2,5kV
Courant du collecteur
5A
Puissance de dissipation
32W
Boîtier
TO268
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
13A
Montage
SMD
Charge d'entrée
10,6nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Poids brut1 g
Certificates
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IXBT2N250-TR
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