IXBT2N250
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 2,5kV; 2A; 32W; TO268
Fabricant: IXYS
Marque du fabricant:
IXBT2N250
Référence TME:
IXBT2N250
Spécification
Fabricant | IXYS | |
Type de transistor | IGBT | |
La technologie | BiMOSFET™ | |
Tensions collecteur-émetteur | 2,5kV | |
Courant du collecteur | 2A | |
Puissance de dissipation | 32W | |
Boîtier | TO268 | |
Tension entrée - émetteur | ±20V | |
Courant du collecteur d'impulsion | 13A | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 10,6nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Temps de connection | 310ns | |
Temps d'extinction | 252ns | |
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs | de haute tension |
Poids brut4.01 g
Certificates
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* IXBT2N250Nombre de pièces (Multiplication: 1)
300 dans l'entrepôt TME
Prix net pour les quantités de 1 pcs - 21.19 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 21.19 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 20.37 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 20.37 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 19.55 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 19.55 USD
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs