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IXBT42N170

Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 42A; 360W; D3PAK


Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
IXBT42N170
Référence TME:
IXBT42N170

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de transistor
IGBT
La technologie
BiMOSFET™, FRED
Tensions collecteur-émetteur
1,7kV
Courant du collecteur
42A
Puissance de dissipation
360W
Boîtier
D3PAK
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
300A
Montage
SMD
Charge d'entrée
188nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
224ns
Temps d'extinction
1,07µs
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
de haute tension
Poids brut4.04 g
Certificates
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*
IXBT42N170
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 39.32 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 39.32 USD
Prix net pour les quantités de 5 pcs - 34.75 USDPrix brut pour les quantités de 5 pcs - 34.75 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 31.94 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 31.94 USD
Prix net pour les quantités de 30 pcs - 30.44 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 30.44 USD
Nombre de pièces (Multiplication: 1)
La quantité minimum possible pour la commande: 1.
Multiplication: 1.
Méthode d'emballage par le fabricantTube = 30 pcs